“high-k”工艺是目前芯片制造技术当中的一项尖端领域，即使用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数（low-k）的二氧化硅栅极，从而大大解决漏电问题，能够使处理器芯片速度提升同时降低耗能。目前IBM和Intel是这一领域的排头兵，Intel已经宣布将在45nm的Penryn处理器中使用high-k工艺，IBM自然不会甘于落后。

high-k工艺的关键就是金属元素配比问题，Intel称这中间有上百种可能。IBM公司则在本周宣布，其新近完成的试验用计算机模拟了50种元素配比，有助于这一工艺的开发。如果进展顺利，IBM使用high-k工艺的芯片产品将于08年投产。

IBM瑞士苏黎世研究实验室的专家使用4096 CPU的蓝色基因/L超级计算机完成了这一试验，为每一种配比中二氧化铪以及硅元素的600个原子的相互作用花费5天的计算时间进行了精确模拟。据称，如果采用一台普通的笔记本电脑，这项总耗时250天的工作将会花上700年。