国产19nm DDR4内存芯片良率已达75% 17nm工艺爬升中
2021-07-27 16:03:35  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

20199月份,合肥长鑫量产了国内首款DDR4内存芯片,这两年来已经在多个国产内存品牌中商用,性能、价格都不错。

根据资料,合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元,选址位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12吋存储器晶圆制造基地(以下简称基地)、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。

其中,长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目,也是安徽省单体投资最大的工业项目,总投资约1500亿元;空港集成电路配套产业园,位于基地以西,总投资超过200亿元;

合肥空港国际小镇位于基地以北,规划土地面积9.2平方公里,规划总建筑面积420万平方米,总投资约500亿元。

截至2020年底,合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能,今年3月份开始启动6万片/月产能建设,实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

内存技术上,长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺,此前一直没有公布具体细节,日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%

75%的良率在业内不算顶尖水平,不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间,现在的良率表现已经不错了,制造出来还是能保证毛利的。

此外,长鑫的第二代内存升级到了17nm工艺,具体良率没公布,但目前会比较低,还在爬升中。

国产19nm DDR4内存芯片良率已达75% 17nm工艺爬升中

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