正文内容 评论(0

华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅
2021-07-05 16:04:44  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

除了投资“芯片之母”EDA企业,企查查工商资料显示,华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%

据悉,东莞市天域半导体成立于2009年,位于松山湖高新技术产业园区,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。

2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”,目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。

至于深圳哈勃科技,华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%,今年4月刚刚成立。

所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料,即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体材料。

华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:万南文章纠错

  • 支持打赏
  • 支持0

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分,共有0人打分
  • 分享好友:
  • |
本文收录在
#华为#碳化硅

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...