闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层:未来可达1000层
2021-06-09 17:38:40  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

自从闪存进入3D时代,堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高,从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。

目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模,现在韩国平泽市的存储芯片工厂已经是全球最大的,三星计划建设第二座平泽工厂。

在闪存技术上,三星的128V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量产第7V-NAND闪存,堆栈层数提升到176层。

在“盖楼”层数上,三星实际上已经落后于美光,后者在去年底就推出了1763D闪存,并且量产了,三星现在要奋起直追了。

超越美光的希望就是再下一代的第8V-NAND闪存,堆栈层数有望超过200层,不过三星没公布具体情况,预计要到明年下半年才有可能量产。

至于未来的层数还能堆多高,早前有消息称超过500层的话就会遇到难以克服的瓶颈,是当前3D堆栈的极限了,但三星的目标是希望超过1000层,这个就需要很多技术突破了。

闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层:未来可达1000层

- THE END -

转载请注明出处:快科技

#三星#闪存#TLC闪存

责任编辑:宪瑞

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0

  • 关注我们

驱动之家 关注驱动之家 微信公众号,每日及时查 看最新手机、电脑、汽车、智能硬件信息
  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技(原驱动之家)官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:快科技mydrivers

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...