SanDisk携手东芝推出56nm NAND闪存--快科技--科技改变未来

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SanDisk携手东芝推出56nm NAND闪存

2007-01-24 11:35:00 出处：快科技作者：上方文Q 编辑：上方文Q 评论(0)

SanDisk宣布，将在本月与东芝联合发布56nm工艺、多层式储存(MLC)规格NAND闪存芯片。

这批56nm工艺NAND闪存芯片是在300mm晶圆厂Fab 3生产的。该工厂位于日本名古屋附近的四日市，由SanDisk和东芝在2005年合资兴建。到今年底，SanDisk和东芝合资的Flash Alliance Ltd.公司将开始建设新的300mm晶圆厂Fab 4，建成后也将投入56nm NAND闪存的生产。

其实，SanDisk和东芝最初的计划是进步到52nm工艺，只是因为技术的复杂性而改用了56nm。

在经过少量的工程样品后，SanDisk将在未来几周内推出8Gb容量的56nm NAND闪存芯片，并在本季度末开始批量出货，下季度将容量翻番提升到16Gb，成为业界存储密度最高的单芯片MLC NAND闪存。