全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小
2021-04-11 21:08:37  出处:充电头网  作者:zun 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

2021年初便有媒体报道称苹果将在今年推出氮化镓快充充电器。就在近期,业界也有越来越多的声音指出,30W GaN快充将成为苹果入局氮化镓快充的首款作品。

据了解,目前业内已有多家厂商开始提前布局该条产品线。

作为全球领先的氮化镓IDM企业,英诺赛科也在该功率段重点发力,带来了让人眼前一亮的产品。

英诺赛科发布33W氮化镓快充

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

在刚刚结束的「2021(春季)USB PD&Type-C亚洲展」上,英诺赛科副总经理陈钰林先生为大家带来了《Inno GaN 引领“芯”未来》主题演讲,并发布了英诺赛科的2021年度重点产品:33W氮化镓快充。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

据陈钰林先生分析,苹果公司目前已经在布局氮化镓快充,30W则极有可能成为苹果首款氮化镓产品。

为了迎接苹果30W氮化镓快充带来的下一个市场风口,英诺赛科专门推出了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04,并基于该新品开发出一款尺寸仅苹果5W充电器大小的33W超迷你氮化镓快充参考设计。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

外型小巧是该方案的一大特色,其内部电路设计更是十分精简,通过图片可见,该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能,让人眼前一亮。并且完全实现了核心技术的自主可控,供货稳定。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

值得一提的是,这款参考设计不仅满足最大33W快充输出,而且在温升和EMI等方面也已符合安规要求,解决了快充电源厂商在产品开发过程中的两大难点,可以帮助客户加速产品量产,抢占市场。

33W快充专用InnoGaN快速上量

虽然距离苹果2021年新品发布会还有半年之久,但其即将推出30W氮化镓快充的消息已经不胫而走,尤其是近期在业界广为流传,多家快充芯片、快充变压器、快充电源厂商及方案商纷纷表示,正在积极地着手布局30W快充产品线。

30W氮化镓快充更是有望在苹果的带动下,成为20W快充市场的继承者,前景可观。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

不过由于功率的提升,传统的内置MOS电源芯片方案大都无法满足应用需求,分立器件方案成为首选。

但如果选用传统的硅MOS作为主开关管需要面临着两大难题,一是效率较低发热较大,无法实现紧凑的设计;二是自2020年下半年以来,受到缺货风波的持续影响,功率半导体的价格以及供货也变得十分不稳定。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

作为一家全球领先的氮化镓IDM企业,英诺赛科自建有技术领先8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线,涵盖30V到650V全电压产品;其苏州FaB基地也将于今年6月通线投产,满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

英诺赛科第二代InnoGaN产品INN650DA04的推出,将在一定程度上缓解了快充产业链紧张的供求关系。此外英诺赛科对该新品采取了战略性定价,十分具有市场竞争力。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

英诺赛科透露,INN650DA04一经推出便获得众多电源厂商青睐,目前累计订单已经突破2kk,并不断有新客户陆续下单。

苹果30W氮化镓快充一旦面世,预计该款氮化镓器件的每月订单量将直奔5kk,成为2021年下半年功率器件领域的现象级爆款。

InnoGaN优势分析

充电头网了解到,英诺赛科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点,同时采用DFN5*6进行封装,有助于电源工程师实现产品的高效率和小体积。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

效率方面,英诺赛科33W氮化镓快充方案无论是在90ac、115Vac输入还是230Vac、264Vac输入,其效率均在92%以上,相比目前市面上主流的20W硅方案,效率提升3个百分点。高效率带来的低发热,为实现小体积、高功率密度产品设计保驾护航。

全新国产氮化镓芯片问世:33W快充专用、极致体积仅5W大小

得益于InnoGaN的高效率特性,实际应用中可以省掉散热片,从而实现小尺寸的紧凑型氮化镓快充方案。目前英诺赛科33W氮化镓快充方案在体积方面已有了巨大突破,PCB尺寸仅为26mm*26mm*26mm,功率密度可达1.88W/cm?,相当于苹果现有20W硅MOS快充方案的2倍以上。

总结

最近行业中流传着这样一句话:上半年看20W,下半年看30W。

看似简单的几个字却透露出快充电源行业的市场趋势,不过相比20W快充而言,30W快充在小型化、温度、安规等方面的挑战更大,也对快充电源工程师提出了更高的要求。

针对这一行业痛点,英诺赛科开始发力,凭借全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力,InnoGaN系列在整体性能、成本、产能等方面均得到很好的把控。

英诺赛科InnoGaN不仅在实现高效率和小尺寸方面明显优于传统硅MOS方案,而且在价格方面也具有极大优势,并有供货稳定的特点。搭配简洁的设计和布局,轻松实现33W迷你氮化镓快充产品的开发,并大幅降低了系统成本与生产成本,可谓是性价比超高。

如果说20W快充是内置MOS电源芯片的主场,那么未来的30W氮化镓快充市场必将成为InnoGaN大显身手的舞台,值得期待!

- THE END -

#快充#氮化镓

原文链接:充电头网 责任编辑:上方文Q

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