[首款AMD65nmCPU登场]

2006年12月7日，加州桑尼维尔讯——AMD正式宣布向65纳米工艺技术迁移，并立即向市场推出AMD 速龙64 X2双核台式机处理器。这次制程的转换对于AMD意义非凡，而消费者也非常关心65nm的产品会产生怎样的变化。

近日我们收到了最新的65nm 5000+处理器并进行了评测，下面是65nm AMD双核 速龙 64 X2 处理器技术参数：

    [AMD 新老两款5000+对比]

AMD 5000+ Brisbane 65nm产品

AMD 5000+ Brisbane 65nm CPU-Z截屏

AMD 5000+ Windsor 90nm产品

AMD 5000+ Windsor 90nm CPU-Z截屏

    [65nm带来的改变]

65nm工艺及其设备将是2006年全球半导体产业热门话题之一，其他厂商也在以不同的方式加快迈进65nm的步伐。英飞凌与飞利浦、ST微电子组成的Grolles 2联盟共同研发56nm工艺；英飞凌与特许签订65nm逻辑集成电路代工协议；英飞凌与IBM、特许和三星达成联合开发65/45nm技术项目等。以富士通、NEC电子、瑞萨、东芝为核心的日本11家主要半导体厂商组成的半导体前沿技术研发协会（Selete）联合研发65nm工艺；台积电、飞利浦与ST微电子联合开发65nm技术；IBM与AMD携手研发65及45nm工艺；台积电、ARM、Artisa、国丰和Synopsys五方联合开发65nm芯片；以及赛灵思与台联电、东芝合作开发65nm FPGA等。由此看来65nm工艺将成为IC制造业的分界线，它甚至可能会引发一场全球半导体产业资源整合。

在06年底AMD也宣布65nm工艺量产化的消息,65nm将带来更低的功耗及发热量，每颗晶圆可以加工更多的产品并带来成本的降低。现在包括AMD、Intel、Ti等主流半导体厂商均加入到大规模生产65nm产品的行列，这将令65nm技术更加多样化，产品更成熟。并且按照目前的进度要比国际半导体技术蓝图ITRS 2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了1年。

中国半导体代工：——中芯国际集成电路制造（SMIC: Semiconductor Manufacturing International）于06年3月进入90nm工艺量产体制后，张汝京透露中芯国际也在进行65nm工艺的研发，06年末还预定使用65nm工艺量产最初客户的工程样品（Engineering Sample）。

    [测试平台及设定]

目前使用65nm处理器需要将主板BIOS升级到最新版本，否则可能造成无法识别最新处理器的情况。同时最新的65nm处理器将提供0.5倍频选项，这将令频率设定更为多样。

    [CPU运算性能测试]

[内存控制器性能测试]

    [实际应用性及双核处理测试]

在CINEBECH95测试中，65nm产品在双核同步处理方面有一个比较大的性能提升。3DMark06虽然不是测试CPU的专业软件，但是CPU TEST部分对CPU的要求颇高，特别是对多核心的考核方面。测试结果表明65nm产品具有一定的双核高负荷协同处理的优势。

    [功耗及CPU运行温度测试]

测试使用TaiSol 泰硕 CEK806风冷散热器，在开放式环境下通过BIOS及ASUS PROBE2监测温度。分别测试BIOS中温度读数，Windows系统空闲下温度，运行SP2004 stress CPU测试及运行两个SP2004程序测试CPU温度。

65nm工艺的采用使得Brisbane核心发热量大为降低。在测试系统中，空闲温度要比90nm Windsor 5000+低3摄氏度，而在50%及100%负载情况下，分别有4和7摄氏度的降低。

    [总结]

通过性能测试来看，新旧制成变化不大，在一些双核协同效率上，65nm产品有一定改进。比较显著的是功耗的下降，目前65nm产品功耗均不超过65w，产品性能功耗比得以显著提升。功耗的降低也就意味着更低的发热量，降低散热要求的同时也将有助于产品的超频。

同时65纳米工艺技术，将令AMD在300毫米晶圆上切割出更多的处理器，产能方面将有不小的提升。AMD预计于2007年中期Fab 36工厂的生产全部转为65纳米工艺，并在Luther Forest技术园区新建造一座12英寸晶元新厂。通过迅速转向65纳米技术，AMD正在有策略地扩大产能，这将令AMD在市场上更为主动，当然我们也希望工艺的提升可以花费更低开销而得到更高性能的产品。

AMD未来技术：

今年国际电子设备研讨会(IEDM)上，AMD和IBM公布了自己的45nm工艺进程蓝图。AMD和IBM的这三种技术分别是沉浸式平版印刷术、超低k(ultra-low-k)电介质互联技术，以及多重增强晶体管应变技术。这些技术将为AMD未来45nm及22nm产品做好充足的准备。

同时第二代Z-RAM技术将为AMD带来更加的缓存容量及性能。Z-RAM全称Zero capacitor RAM，即“无电容RAM”，其最大特点就是不使用电容来保存数据，并采用先进的SOI工艺，可比处理器缓存常用的嵌入式SRAM得到大得多的密度，能显著提高处理器缓存容量。据悉，第二代Z-RAM技术能使65nm处理器的缓存密度达到每平方毫米5Mb(625KB)，理论上可以在16平方毫米的面积内集成10MB缓存，而Intel Core 2 Duo的4MB二级缓存占用了143平方毫米的面积，密度只有前者的4.5％。与此同时，新一代Z-RAM技术的速度和功耗也都取得了长足进步，最高频率400MHz，每MHz只需0.00001W，也就是1微瓦。

AMD 65nm处理器产品及价格：

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