国产Longsys DDR5内存横空出世!多项实测数据首次公开
2021-03-16 10:08:02  出处:快科技 作者:朝晖 编辑:朝晖     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

国产Longsys DDR5内存横空出世!多项实测数据首次公开

江波龙电子今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品(ES1)。涉及两款全新架构产品原型,分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相较于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

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此外,部分测试数据首次面向公众公开。其中,展示的测试实例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板,搭配Longsys DDR5 32GB 6400内存模组,并配置Windows 10 Pro x64操作系统,分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

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(通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道)

1、鲁大师测试数据

首先呈现的是硬件配置,内存识别为Longsys ID。

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通过鲁大师测试,Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高达19万分有余。

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2、AIDA64测试数据

通过测试,能够获取到Longsys DDR5 32GB 6400读/写/拷贝/延迟的性能跑分。

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为了更加直观地体现性能的提升力度,还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示,Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。

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核心指标揭秘

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纠错能力增加

在优化DDR5 DRAM内核运算能力上,Longsys DDR5增加内置纠错码(ECC),全面实现数据纠错能力,进一步提高数据完整性,同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

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增加16n的预取模式

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍,信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道,提高了并发性,并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

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端到端的接收模式的强化

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此,Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应,让信号传输更加纯净。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍,并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟,加倍提高了系统的整体效率,允许更多页面同时被打开。

SAME-BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性,称为SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank,使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

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未来的应用场景不断革新和进步,对存储技术提出了更严苛的要求,亦大大加速了DDR5发展进程,各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。

据悉,Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域,比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署,此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

截止2021年3月12日,Longsys申请专利总数达到838个,其中境外专利申请178项;已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项;软件著作权65项。

据悉,今年Longsys内存产品线仍将精益求精,持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务。

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#内存#DDR5

责任编辑:CLY

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