999元Redmi Note 9 4G评测:内置6000mAh“充电宝”
2020-12-04 20:42:07  出处:快科技 作者:岛叔 编辑:岛叔     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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四、性能:入门级平台 128G大存储起步

Redmi Note 9 4G所搭载的是骁龙662 平台,提供4GB+128GB、6GB+128GB、8GB+128GB和8GB+256GB这四种存储组合。

骁龙662是高通在今年年初发布的4G处理器平台,它采用11nm工艺,4+4 8核Kryo 260设计,主频最高2.0GHz,集成Adreno 610 GPU和Hexagon 683 DSP,Spectra 340T ISP单摄最高4800万像素,也为三摄做了优化,确保平滑,支持HEIF格式图片等。

其它方面,集成X11 LTE基带(下行最高390Mbps),支持LPDDR3/LPDDR4X内存,QC 3.0快充等,有些像是骁龙665的“青春”版,均采用8核心设计、11nm工艺,GPU也沿用了Adreno 610,DSP与ISP不同。

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安兔兔跑分186552分,典型的入门级表现

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在Geekbench 5的评价体系当中,Redmi Note 9 4G所搭载的骁龙662单核得分为313,多核得分为1333。

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GeekBench 5-单核心

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GeekBench 5-多核心

对比来看,就Geekbench 5所反映的CPU表现来看,骁龙662的单核心与联发科Helio G80尚存在一定差距,相当于天玑720的61%;多核心则与Helio G80相近,相当于天玑720的80%。

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GFXbench测试 入门级表现

Redmi Note 9系列三款机型都首发标配了新一代UFS 2.2高速闪存,但是在读写性能测试中,Note 9 Pro、Note 9基本表现一致,Note 9 4G在持续读写和随即读写中,表现都明显落后,差距接近50%。

很明显,如无意外,Redmi Note 9 4G所搭载的应该为单通道UFS 2.2闪存。

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责任编辑:岛叔

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