四、性能：入门级平台 128G大存储起步

Redmi Note 9 4G所搭载的是骁龙662 平台，提供4GB+128GB、6GB+128GB、8GB+128GB和8GB+256GB这四种存储组合。

骁龙662是高通在今年年初发布的4G处理器平台，它采用11nm工艺，4+4 8核Kryo 260设计，主频最高2.0GHz，集成Adreno 610 GPU和Hexagon 683 DSP，Spectra 340T ISP单摄最高4800万像素，也为三摄做了优化，确保平滑，支持HEIF格式图片等。

其它方面，集成X11 LTE基带（下行最高390Mbps），支持LPDDR3/LPDDR4X内存，QC 3.0快充等，有些像是骁龙665的“青春”版，均采用8核心设计、11nm工艺，GPU也沿用了Adreno 610，DSP与ISP不同。

安兔兔跑分186552分，典型的入门级表现

在Geekbench 5的评价体系当中，Redmi Note 9 4G所搭载的骁龙662单核得分为313，多核得分为1333。

GeekBench 5-单核心

GeekBench 5-多核心

对比来看，就Geekbench 5所反映的CPU表现来看，骁龙662的单核心与联发科Helio G80尚存在一定差距，相当于天玑720的61%；多核心则与Helio G80相近，相当于天玑720的80%。

GFXbench测试 入门级表现

Redmi Note 9系列三款机型都首发标配了新一代UFS 2.2高速闪存，但是在读写性能测试中，Note 9 Pro、Note 9基本表现一致，Note 9 4G在持续读写和随即读写中，表现都明显落后，差距接近50%。

很明显，如无意外，Redmi Note 9 4G所搭载的应该为单通道UFS 2.2闪存。