今日（8月30日），三星电子宣布，其位于韩国平泽市的第二代产线，已经开始大规模量产业内首批16Gb(2GB)容量的LPDD5内存芯片，并导入EUV极紫外光刻工艺。

芯片基于三星第三代10nm级（1z）工艺打造，16Gb也达成了业内最高容量和最佳性能。

据悉，该LPDDR5内存芯片的带宽速度为6400Mbps（等价6400MHz），比现款12Gb LPDDR5-5500快了16%。在16GB的总容量下，允许一秒内传输10部5GB高清电影（51.2GB）。

三星还表示，得益于先进的1z nm EUV工艺，单芯片比上代薄了30%。从封装上讲，10片就能凑成16GB容量，上一代1ynm则需要12片（单芯片12Gb）。如此以来节省的空间可以为5G手机创造更大的可能，比如更强的AP处理器、更大的电池、更充沛的天线布局等。

按照三星的预估，第一批搭载自家1z nm 16GB LPDDR5封装内存的旗舰机将在2021年批量上市，恐怕明年初的Galaxy S21/30上就能见到了。