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12nm玩出花 台积电宣布N12e制程工艺:同频性能提升49%
2020-08-25 13:15:05  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

在台积电第26届技术研讨会上,台积电不仅确认5nm、6nm已在量产中,3nm、4nm明年试产后年量产外,也将老迈的12nm进行了全新升级。

新制程工艺节点名为N12e,绿色LOGO极为醒目,突出的就是其在能耗上的极佳表现。

具体来说,N12e要取代的是22ULL,可带来76%的逻辑密度提升,给定功耗下49%的频率提升、给定性能下55%的功耗减少以及SRAM尺寸50%的缩减。

12nm玩出花 台积电宣布N12e制程工艺:同频性能提升49%

N12e支持的Vdd电压能够做到0.4V,可以说完美适配IoT设备。事实上台积电的规划就是,面向5G处理器、基带、无线耳机、智能手表、VR、可穿戴设备、入门级SoC等场景领域服务。

参照台积电今年二季度的营运报告,虽然7nm在营收上份额上已达36%,妥妥第一大印钞机,但16nm(12~16nm)还保有着18%的份额,是绝对的中坚,不可忽视。另外,第三大晶圆厂GF(格芯)退出10nm以下制程研发后,也是全力优化12~14nm工艺,争抢IoT、低功耗SoC市场的代工份额。

说到台积电12nm的忠实伙伴,NVIDIA绝对要提,从Volta一路走到当下的Turing,可都是12nm加持,“忠心耿耿”。

12nm玩出花 台积电宣布N12e制程工艺:同频性能提升49%

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