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RTX 3080 Ti工程卡曝光:三星8nm工艺、4倍光追性能提升
2020-07-22 16:24:54  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

关于NVIDIA安培显卡,圈内有新消息传来。

Moore’s Law is Dead指出,由于满足不了NVIDIA的预订产能,今年推出的RTX 30系列显卡,GPU核心均基于三星8nm打造,台积电7nm EUV需要等到明年上半年就绪,这意味着,后续的升级该款RTX 30xx Super才有机会换装7nm核心。

爆料称认为,这会让7nm的AMD RDNA2独显(“Big Navi”)处于相对有利的位置。

关于GA102核心RTX工程样卡的细节参数,爆料也做出修正,以下是最新汇总,据说GA102会同时用在RTX 3080 Ti(一说叫3090)和RTX 3080上——

- 罕见的三风扇散热设计

- 12Pin外接供电接口取代8Pin

- 基础频率2GHz,加速2.2GHz

- 默频下功耗300瓦左右

- 5376个CUDA,12GB显存,18Gbps带宽

- 4K绘图性能提升了40%

- 较RTX 2080 Ti的IPC有坚实提升,光追性能增加3~4倍

- 首发支持DLSS 3.0

RTX 3080 Ti工程卡曝光:三星8nm工艺、4倍光追性能提升

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