IBM今天宣布推出采用“strained-silicon-on-SOI”技术的0.065微米制程，将用来制造高效能的芯片产品。IBM目前已经使用增强性SOI 0.065微米制程进行SDAM样品的生成工作，不过IBM要到2005年才能开始0.065微米制程的量产工作，并且将主要用来生产IBM下一代高效能的处理器。基于外沿制程，IBM这种技术结合了strained-silicon和SOI各自的优点，SOI技术可以生产工作频率更高的芯片，同时strained-silicon可以大幅度增加芯片内部晶体管的集成数目，和标准的SOI技术相比，采用“strained-silicon-on-SOI”技术的芯片将获得20％的效能提升。