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三星取消中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET
2020-07-02 16:59:09  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

GF(格芯)退出7nm研发后,金字塔尖的先进制程工艺争夺主要围绕台积电、Intel、三星开展。

最新消息称,三星已经重修了工艺路线图,取消了此前用于过渡的4nm,在5nm为FinFET(鳍式场效应晶体管)后,直接上马3nm GAAFET(环绕栅极晶体管)。

三星的4nm原定于2021年量产,可其真实身份无非5nm改良。对于三星取消的原因,一方面是3nm推进顺利,另一方面则是市场竞争需要,如果能抢在台积电之前搞定技术难度更高的3nm GAAFET,无疑将为自己争得可观的机会。

三星取消中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

三星如今的掌门人李在镕非常看重芯片代工业务,这一切或也得到了他的授意。

此前,三星曾透露,3nm芯片相较于7nm FinFET,可以减少50%的能耗,增加30%的性能。

至于台积电的3nm,据说第一代还是FinFET,总投资高达500亿美元,风险试产也推迟到了今年10月。

三星取消中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

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