INQ报道，三星公司今天宣布他们已经开发出了一种新的存储芯片，将在十年内替代高密度NOR型闪存。

此款存储介质名为相变随机存取存储器（Phasechange Random Access Memory），简称PRAM，三星已经制造出了512mb容量的PRAM原型芯片。PRAM可以在不擦除原有内容的情况下进行重写操作，三星称因此可达到闪存30倍的速度，并且能够达到10倍的寿命。三星将在2008年量产PRAM，据称相比NOR型闪存可节约20%的生产工序。

三星将用DRAM生产中使用的3D芯片封装技术制造PRAM，存储芯片面积只有0.0467平方微米。

三星同时宣布，[url=http://news.mydrivers.com/pages/20060911152220_37363.htm]他们已经采用40nm技术制造出了32gb容量NAND型闪存[/url]。