• 快科技
  • 中文科技资讯专业发布平台
ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限
2020-03-16 20:50:11  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

在EUV光刻机方面,荷兰ASML(阿斯麦)公司垄断了目前的EUV光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。据报道,ASML公司正在研发新一代EUV光刻机,预计在2022年开始出货。

根据ASML之前的报告,去年他们出货了26台EUV光刻机,预计2020年交付35台EUV光刻机,2021年则会达到45台到50台的交付量,是2019年的两倍左右。

目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C,两者基本结构相同,但NXE:3400C采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的产能也从之前的125WPH(每小时处理晶圆数)提升到了175WPH

不论NXE:3400B还是NXE:3400C,目前的EUV光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的NA(数值孔径)为0.33。

ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列,NA指标达到了0.55,主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。

与之前的光刻机相比,新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右,可以进一步提升光刻机的精度,毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。

不过新一代EUV光刻机还有点早,至少到2022年才能出货,大规模出货要到2024年甚至2025年,届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。

ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限

文章价值打分
当前文章打分0 分,共有0人打分
文章观点支持

+0
+0

快科技客户端

扫描安装快科技APP

驱动之家微信公众号

扫描关注驱动之家