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传Intel 2021年用上台积电6nm 2022年直接上马3nm工艺
2020-03-08 12:26:57  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

在半导体工艺上,Intel的10nm已经量产,但是官方也表态其产能不会跟22nm、14nm那样大,这或许是一个重要的信号。此前业界多次传出Intel也会外包芯片给台积电,最新爆料称2022年Intel也会上台积电3nm。

来自业界消息人士@手机晶片达人的爆料称,Intel预计会在2021年大规模使用台积电的6nmn工艺,目前正在制作光罩(Mask)了。

在2022年Intel还会进一步使用台积电的3nm工艺代工

传Intel 2021年用上台积电6nm 2022年直接上马3nm工艺

在更早的爆料中,手机晶片达人指出Intel 2021年开始外包外公的主要是GPU及芯片组,还警告说2021年苹果、海思、Intel及AMD会让产能非常紧张。

传Intel 2021年用上台积电6nm 2022年直接上马3nm工艺

假如Intel真的打算扩大外包,除了已经部分外包的芯片组之外,首当其冲的就是GPU,因为GPU相对CPU制造来说更简单一些,而且台积电在GPU制造上很有经验。

结合之前的消息来看,Intel的Xe架构独显DG1使用的是自家10nm工艺制造,今年底上市,拥有96组EU执行单元,一共是768个核心,基础频率1GHz,加速频率1.5GHz,1MB二级缓存以及3GB显存,TDP为25W。

预计DG1的性能与GTX950相当,比GTX 1050则差了15%左右,总体定位不高,适合高能效领域,尤其是笔记本GPU

DG1之后还会有DG2独显,这就是一款高性能CPU了,之前爆料DG2会用上台积电的7nm工艺,现在来看应该是7nm改良版的6nm工艺了。

不过2021年Intel自己的7nm工艺也会量产,官方早已宣布用于数据中心的Ponte Vecchio加速卡会使用自家的7nm EUV工艺。

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