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Intel眼中的“假7nm” 台积电:N7制程节点命名遵循惯例、确非物理尺度
2020-02-25 16:35:33  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

基于三星5nm工艺的高通骁龙X60基带已发布,台积电下半年也将基于5nm(N5)为苹果代工A14、华为代工麒麟1020等芯片。

显然,这对于仍在打磨14nm并在10nm供货能力挣扎的Intel来说,似乎并不利。

不过,Intel早在2017年就撰文抨击行业内关于流程节点命名的混乱,时任工艺架构和集成总监的Mark Bohr呼吁晶圆厂们建立套统一的规则来命名先进制程,比如晶体管密度。而且以这个标准来看的话,Intel的10nm甚至比竞品的7nm还要优秀。

此后,坊间的挺I派喊出三星、台积电是“假7nm”的口号。

对此,台积电营销负责人Godfrey Cheng做客AMD webinar活动时回应,从0.35微米(350nm)开始,所谓的工艺数字就不再真正代表物理尺度了。他解释,7nm/N7是一种行业标准化术语而已,之后还有N5等等。

他同样认为“需要寻求一种全新的、对工艺节点不同的描述化语言。”

按照Intel的建议,以逻辑晶体管密度(MTr/mm2,每平方毫米的百万晶体管数)来作为定义工艺节点的指标,将扫描触发器和NAND2密度考虑进去,同时报告SRAM单元规模。

Intel眼中的“假7nm” 台积电:N7制程节点命名遵循惯例、确非物理尺度

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