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先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术
2020-02-21 15:50:00  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

尽管三星追的很紧,但台积电今年上半年就要开始量产5nm工艺了,本年度内苹果、华为的A14及麒麟1020芯片订单已经在手了。

再下一个节点就是3nm工艺了,这个节点非常重要,因为摩尔定律一直在放缓,FinFET晶体管一度被认为只能延续到5nm节点,3nm要换全新技术方向。

在这方面,三星将转向GAA环绕栅极晶体管,根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

具体来说,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%

先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术

由于之前在先进工艺上进度落后了,三星在3nm进行了一场豪赌,是第一个大规模上马GAA技术的,目的就是希望通过激进的手段迅速扭转晶圆代工市场上的地位,GAA成败很关键。

相比之下,台积电也在投资200亿美元建设3nm晶圆厂,但一直没有公布3nm的技术细节,其技术路线选择将对未来先进芯片的代工产生重大影响。

根据最新的消息,台积电可能没有三星这么激进,在3nm节点也会跟之前的7nm工艺一样采取两步走的方式,第一代3nm工艺还会继续改进FinFET晶体管工艺,在第二代3nm或者2nm节点才会升级到GAA晶体管技术。

这样做一方面是出于技术研发的考虑,台积电在GAA技术上落后三星1218个月,另一方面则是要在进度上赶超,20213月份就准备试产,所以不能急着上GAA工艺,先用FinFET工艺顶上。

台积电在4月份会有一次专门的发布会,届时会正式公布3nm工艺的技术细节。

先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术

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