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英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%
2020-01-19 20:19:07  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存,最高速率可达6400Mbps,将逐步取代DDR4内存。现在的DRAM内存技术还在升级,但是技术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术,英国就找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns,功耗仅有现在1%

多年来人们一直在寻求完美的“内存”芯片,它既需要低延迟、高带宽,也要功耗低(不需要频繁刷新),同时还得容量大,成本低,更重要的是具备断电不损失数据的特性,可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体。

这么多要求,做起来可真不容易,Intel的傲腾内存是基于PCM相变内存技术的,在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存,更接近DRAM内存芯片了,不过超越内存还达不到

日前外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存”,它使用的是III-V族材料,主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝,用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100倍,也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%,同时延迟可低至10ns

总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升,10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多,但是上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过也没法高兴太早,英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向,真正大规模制造这种内存还是没影的事,就像是像传了很久的MRAMPCMRRAM芯片一样。

英国研发新一代革命性内存:10ns延迟、功耗仅有1%

 

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