NAND闪存无疑是当下乃至未来最主流的存储技术，但也有不少新的存储技术在探索和推进，Intel 3D XPoint(傲腾)就是典型代表(曾与美光合作研发如今已分手)，产品也是多点开花，Intel对它颇为倚重。

不过，铠侠(Kioxia/原东芝存储)对于Intel傲腾技术却有些不屑一顾，认为还是应该坚持走NAND路线，尤其是自家新研发的XL-Flash技术更有前景。

Intel 3D XPoint存储使用相变材料来调节存储单元的电阻，再通过电子选择器开关来访问，通过交替改变字线和位线的方向保比特位可寻址特性。如果需要堆叠更多层数，就需要增加额外的字线和位线，以及其间的单元。

铠侠认为，3D XPoint傲腾这种存储技术存在很多缺陷，尤其是仍然局限于单层，而相比于在每一层内增加比特位，增加层数会导致复杂性、成本急剧增加，控制电路也会损失一部分面积，并严重影响产能。

相比之下，3D NAND闪存技术要成熟得多，蚀刻和填充步骤可以一次覆盖多层，目前已有大量的90多层产品已上市，100多层的也就在不远处，这是一种行之有效的思路，面积上的损失几乎为零，产能影响也很小。

另外，3D NAND的成本会随着层数的不断增加而持续降低，尽管会越来越不明显，但是3D XPoint技术在堆叠到四五层后，成本反而会迅速增加，失去扩展性。

当然，铠侠的这一番言论目的还是推销自家的XL-Flash，去年8月份才刚刚提出，将在今年大规模量产。

这种技术介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，可以理解为一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存，单Die容量128Gb，支持两个、四个、八个Die整合封装，单颗容量最大128GB，而且分成了多达16层，延迟不超过5微秒。

对于这样的说法，Intel肯定不会同意。事实上，Intel一直在并行发展3D NAND、3D XPoint，前者已经量产96层QLC，明年还会有144层QLC，后者也准备好了扩展到双层，未来还有四层、八层。

Intel还已透露，下代傲腾产品“Aerospike”预计可以做到130万左右的超高IOPS，是现在傲腾SSD DC P4800X的大约三倍，更是NAND闪存硬盘的四倍多，同时失败率极低，只有NAND闪存的大约50分之一，而作为拿手好戏的延迟更是一骑绝尘。

此外针对3D NAND闪存，Intel、铠侠等都在研究5个比特位的PLC。