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铠侠:3D闪存是王道 Intel傲腾没有未来
2020-01-01 22:25:10  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

NAND闪存无疑是当下乃至未来最主流的存储技术,但也有不少新的存储技术在探索和推进,Intel 3D XPoint(傲腾)就是典型代表(曾与美光合作研发如今已分手),产品也是多点开花,Intel对它颇为倚重。

不过,铠侠(Kioxia/原东芝存储)对于Intel傲腾技术却有些不屑一顾,认为还是应该坚持走NAND路线,尤其是自家新研发的XL-Flash技术更有前景。

Intel 3D XPoint存储使用相变材料来调节存储单元的电阻,再通过电子选择器开关来访问,通过交替改变字线和位线的方向保比特位可寻址特性。如果需要堆叠更多层数,就需要增加额外的字线和位线,以及其间的单元。

铠侠:3D闪存是王道 Intel傲腾没有未来

铠侠认为,3D XPoint傲腾这种存储技术存在很多缺陷,尤其是仍然局限于单层,而相比于在每一层内增加比特位,增加层数会导致复杂性、成本急剧增加,控制电路也会损失一部分面积,并严重影响产能。

相比之下,3D NAND闪存技术要成熟得多,蚀刻和填充步骤可以一次覆盖多层,目前已有大量的90多层产品已上市,100多层的也就在不远处,这是一种行之有效的思路,面积上的损失几乎为零,产能影响也很小。

另外,3D NAND的成本会随着层数的不断增加而持续降低,尽管会越来越不明显,但是3D XPoint技术在堆叠到四五层后,成本反而会迅速增加,失去扩展性。

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当然,铠侠的这一番言论目的还是推销自家的XL-Flash,去年8月份才刚刚提出,将在今年大规模量产。

这种技术介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间,可以理解为一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存,单Die容量128Gb,支持两个、四个、八个Die整合封装,单颗容量最大128GB,而且分成了多达16层,延迟不超过5微秒。

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对于这样的说法,Intel肯定不会同意。事实上,Intel一直在并行发展3D NAND、3D XPoint,前者已经量产96层QLC,明年还会有144层QLC,后者也准备好了扩展到双层,未来还有四层、八层。

Intel还已透露,下代傲腾产品“Aerospike”预计可以做到130万左右的超高IOPS,是现在傲腾SSD DC P4800X的大约三倍,更是NAND闪存硬盘的四倍多,同时失败率极低,只有NAND闪存的大约50分之一,而作为拿手好戏的延迟更是一骑绝尘。

此外针对3D NAND闪存,Intel、铠侠等都在研究5个比特位的PLC。

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