国内最大的NOR闪存公司兆易创新上周末发表公告，宣布向10位投资者定向募集33.2亿元资金，主要用于DRAM内存研发及产业化，最快2021年开始量产。

在募资公告中，兆易创新公布了这个项目的预计实施时间及整体进度安排，具体如下：

·2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。

·2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客户验证。

·2021年，首款芯片通过验证之后进行小批量生产，测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年，进行新系列芯片研发及量产。

从兆易创新的安排来看，如果没有延期，那么他们的DRAM内存芯片最快会在2021年量产，2022年之后则会开始多个系列的产品研发及量产。

截至 2019 年 9 月 30 日，兆易创新公司及控股子公司共拥有和使用 508 项境内专利、21项境外专利及 16 项集成电路布图设计。

在 DRAM 技术及研发方面，公司已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核心技术带头人员从事 DRAM 芯片行业平均超过二十年，具备较强的技术及研发实力。

此外，公司在存储器领域的技术研发能力及拥有丰富经验的资深工程师团队也能够有效地加速推进 DRAM 芯片的研发工作。