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三星5nm EUV工艺关键突破:能效提升25%
2019-07-09 19:42:24  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

眼下,台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺,这将是7nm之后的又一个重要节点,全面应用EUV极紫外光刻技术,提升效果会非常明显,所以都受到了高度重视。

现在,三星的5nm取得了重要进展,来自EDA(电子自动化设计)巨头Cadence、Synopsys的全流程设计工具已经通过了三星5LPE(Low Power Early)工艺的认证,可以帮助芯片厂更快速地开发高效的、可预测的芯片。

本次验证使用的是ARM Cortex-A57、Cortex-A53芯片,结果完全符合三星新工艺的需求,但是三星未透露更具体的指标,如核心数、频率、功耗等。

三星5LPE工艺仍然使用传统FinFET立体晶体管,但加入了新的标准单元架构,并同时使用DUV、EUV光刻技步进扫描系统。

由于继承了旧工艺的部分指标,使用三星5LPE工艺设计芯片的时候,可以重复使用7LPP IP,同时享受新工艺的提升。

三星7LPP工艺将是其第一次导入EUV,但只有少数光刻层使用,5LPE会扩大使用范围,效果更加明显。

按照三星的说法,5LPE工艺相比于7LPP工艺可以带来25%的逻辑电路能效提升,同时可将功耗降低20%,或者将性能提升10%。

三星5nm EUV工艺关键突破:能效提升25%

 

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