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东芝把3D TLC闪存堆到了128层:进一步压榨大容量SSD价格水分
2019-03-07 17:34:01  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

3D NAND技术诞生后,颗粒厂商们就开始在堆叠层数上做文章,目前最前沿的工艺是96层,不过,更狠的来了。

据悉,东芝和合作伙伴西部数据已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发,预计商用名会是BiCS-5。

有趣的是,128层产品为TLC,而非QLC,原因是后者的产能还很低。

BiCS-5理论容量密度提升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),计划2020年到2021年期间商用。

东芝把3D TLC闪存堆到了128层:进一步压榨大容量SSD价格水分

性能方面,BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s。这个速度怎么理解?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

TI按照85%的良率对四大颗粒厂(SK海力士、Intel、西数/东芝、三星)旗下的各技术产能做了预测,最顶级的300mm晶圆(12寸)可以切割48.3TB容量的512Gb 128层TLC,如果是QLC,那么产出将更加可观。

东芝把3D TLC闪存堆到了128层:进一步压榨大容量SSD价格水分

无疑,128层TLC成熟商用后将进一步对机械硬盘产生冲击,同时压榨大容量SSD的价格水分。

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