3D NAND技术诞生后，颗粒厂商们就开始在堆叠层数上做文章，目前最前沿的工艺是96层，不过，更狠的来了。

据悉，东芝和合作伙伴西部数据已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发，预计商用名会是BiCS-5。

有趣的是，128层产品为TLC，而非QLC，原因是后者的产能还很低。

BiCS-5理论容量密度提升约33%，晶片容量为512Gb(64GB)，计划2020年到2021年期间商用。

性能方面，BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术，写速相较于两矩阵翻番，达到132MB/s。这个速度怎么理解？就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。

TI按照85%的良率对四大颗粒厂（SK海力士、Intel、西数/东芝、三星）旗下的各技术产能做了预测，最顶级的300mm晶圆（12寸）可以切割48.3TB容量的512Gb 128层TLC，如果是QLC，那么产出将更加可观。

无疑，128层TLC成熟商用后将进一步对机械硬盘产生冲击，同时压榨大容量SSD的价格水分。