三星将通过晶圆代工弥补内存降价的损失:2020推3nm工艺
2018-12-11 20:51:42  出处:超能网  作者:孟宪瑞 编辑:朝晖     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

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持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了,遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了,花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内存至少会降价30%。

对于DRAM厂商来说,内存降价是他们极不愿意看到的,特别是第一大内存供应商三星,DRAM芯片占了三星公司半导体业务营收的85%。为了弥补DRAM内存降价导致的损失,三星明年将加强晶圆代工业务,虽然在7nm节点上落后了台积电,但三星表态他们的3nm工艺已经完成了性能验证,将于2020年大规模量产。

在全球晶圆代工市场上,台积电一家独大,占据全球晶圆代工市场大约60%的份额,不仅营收远超其他厂商,而且在7nm工艺节点几乎垄断了目前所有芯片代工订单,今年流片了50多个7nm芯片,明年还有100多个7nm及7nm+工艺订单。

在晶圆代工方面,三星之前也是有过光辉历史的,在32nm、14nm及10nm节点率先量产,不过7nm节点上三星进度落后于台积电,自家的Exynos 9820处理器也没有赶上7nm EUV工艺,还是用的10nm工艺改进的8nm LPP工艺,数字上听起来跟7nm工艺差不多,但实际上并不是麒麟980、苹果A12及骁龙855同代水平的。

在DRAM内存芯片降价的大环境下,三星在半导体业务上的重点也会倾向于晶圆代工,去年三星晶圆代工业务营收46亿美元,三星的目标是营收增加一倍到100亿美元以上,不过要实现这个目标,三星除了斥资56亿美元兴建新的晶圆厂之外,还要在技术上加把劲,赶超台积电。

三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung本周一在IEDM会议上表示三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证,并且在进一步完善该工艺,目标是在2020年大规模量产。

在3nm节点上,台积电也准备投资6000亿新台币,也就是200亿美元左右,不过台积电的计划是2020年建厂,2021年完成设备安装,2022年才能量产。如今三星的雄心是在2020年量产,这个进度要快得多了。

三星将通过晶圆代工弥补内存降价的损失:2020推3nm工艺

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#三星#内存

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