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中国成功研制超分辨率光刻机:未来可加工10nm芯片
2018-11-30 09:33:46  出处:快科技 作者:振亭 编辑:振亭   点击可以复制本篇文章的标题和链接

11月30日消息,据媒体报道,由中国科学院光电技术研究所主导的项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。

该光刻机光刻分辨力达到22nm,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10nm级别的芯片。

专家表示,该光刻机在365nm光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22nm。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。

据悉,光刻机是制造芯片的核心装备,我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术,把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上,一般来说,光刻分辨力越高,加工的芯片集成度也就越高。

项目副总设计师胡松介绍,中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权,为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

中国成功研制超分辨率光刻机:未来可加工10nm芯片

中国成功研制超分辨率光刻机:未来可加工10nm芯片

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