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西数首发96层堆叠UFS 2.1闪存:手机性能可超SSD
2018-10-12 21:30:11  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

西部数据今天宣布推出全球首款96层堆叠的UFS 2.1规格嵌入式闪存,型号“iNAND MC EU321 EFD”,面向AI人工智能、AR增强现实、多摄像头高分辨率拍照、4K视频捕捉等应用和高端手机、平板机等移动计算设备,性能堪比入门级SSD。

该闪存容量32GB、64GB、128GB、256GB,基于西数自家主控,接口支持UFS 2.1 Gear3,两条通道,支持西数自家的iNAND SmartSLC 5.1缓存技术,性能方面标称持续读写可高达800MB/s、500MB/s,随机读写则可达50000 IOPS、52000 IOPS。

西数首发96层堆叠UFS 2.1闪存:手机性能超SSD

它采用BGA封装,尺寸仅为11.5×13×1毫米,可以轻松放入如今的智能手机、平板机,而且容量上已经足够用于笔记本、VR头显等设备。

西数从今年4月起开始出货96层堆叠3D闪存,7月份发布了首款基于它的SSD,这是第一次进入嵌入式领域。

西数首发96层堆叠UFS 2.1闪存:手机性能超SSD

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