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长江存储预告全新国产3D闪存:前所未有高性能
2018-08-06 23:07:48  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

作为3D NAND闪存产业的新晋者,长江存储今年将第一次参加行业权威的闪存峰会(Flash Memory Summit),并首次公开披露即将发布的突破性技术Xtacking。

北京时间8月8日清晨6点,长江存储CEO杨士宁博士将在圣克拉拉会议中心发表演讲,主题为《创新架构,释放3D NAND闪存潜能》,介绍此项技术是如何将NAND传输速率提升至DRAM DDR4的水准,同时使存储密度达到行业领先水平,实现闪存行业的划时代跃进。

长江存储是中国第一家进军高门槛NAND闪存的企业,官方宣称Xtacking新架构将为3D闪存带来前所未有的高性能,更高的存储密度,以及更短的上市周期。

按照长江存储的说法,Xtacking技术可实现史无前例的超高传输速率,从而将UFS、消费级和企业级SSD的性能提升到全新的高度。

Xtacking技术还实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工,可大幅缩短产品上市时间,并可定制产品。

长江存储预告全新国产3D闪存:前所未有高性能

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