日前Intel闪存产品事业部副总裁Brian Harrison表示，将在本季度推出Intel首款65nm NOR型闪存芯片的样品，预计到今年年底将可以大量应用于手机产品中。Brian Harrison同时还称新推出的闪存芯片，将高于现行90nm芯片的512MB存储量，可以提供超过1GB以上的数据存储量容。

1988年，Intel公司发明NOR闪存，一年后，东芝公司发明NAND闪存。如今闪存已被大量使用于手机、PDA或者内嵌于其它设备中用于存储数据，相比DRAM以及移动硬盘等，闪存拥有无需连续供电的优势。而NOR闪存通常用于高端手机数据存储，得益于其快速的读取时间，且具有更高的可靠性，只是价格较NAND闪存要昂贵一些。另外，NAND闪存也凭借其高密度以及多媒体应用中快速的读写速度，在存储卡以及相关设备中获得了成功的应用，但其缺点是延时和功耗。

Harrison表示，Intel还将会推出采用堆叠技术的2GB容量NOR芯片，但出于成本考虑，当其转用45nm工艺时，才能以符合成本效益的方式生产2GB NOR芯片了。

据市场调研公司iSuppli预计，2006年期间NAND闪存将占据所有闪存产品市场的69%。而Intel在生产自家NOR闪存的同时，也联合美光一同打入了火爆的NAND闪存市场。加之众多品牌MP3播放器的良好销售，也促进了NAND闪存市场的进一步壮大。而苹果也是Intel和美光合资公司IM Flash Technologies的重要客户之一。虽然改进了制造工艺，但目前来看NOR型闪存仍将备受NAND型闪存的威胁。