2月22日消息，三星在官网宣布，高通未来的5G移动设备芯片将基于他们的7nm LPP工艺制造，该技术节点会引入EUV（极紫外光刻）。

2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工艺，同年7月，三星放言，在2018年会比对手台积电更早地量产7nm。

三星透露，比较当前的10nm FinFET工艺，7nm将实现面积缩小40%、10%的性能提升、35%的功耗下降。

有趣的是，高通在本月还推出了基于7nm工艺的X24基带，但是一款4G LTE产品，不知道是不是三星参与打造，毕竟在这次的新闻稿中没有被证实。

而爆料大神Roland曾表示，高通的首款7nm AP是骁龙855，似乎找不出什么理由突然让台积电横插入代工。

另外，三星在2017年10月宣布正开发介于10nm和7nm的8nm中间制程，同样是和三星合作，看来两者的关系未来是更铁了。

三星位于韩国华城的半导体工厂，图片来自三星官网