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Flash内存未来对手？RRAM问世
2005-11-24 09:28:00  出处：快科技 作者：ZNXF 编辑：ZNXF     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接
#快讯

INQ援引《Nikkei Business Daily》报导，日本NTT实验室已经研发出一种RRAM（resistance random access memory），相比目前的Flash闪存其功耗更低且速度更快。

报道中指出这种内存使用了铁电物质铋钛化合物和FeRAM（铁电存储器）。

RRAM的优点还包括：非挥发性，可利用现有生产技术，制作材料不难找。

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