韩国厂商SamSung三星今天公布了旗下内存发展的最新蓝图:

1/三星在今年第四季度继续推动DDR400内存的普及

2/三星在下半年同时增加DDR333内存的产量，规格从2.5v/128Mb提升到2003年第一季度的2.5v/256Mb，在

明年底，DDR333内存的容量将提升到1Gb。

3/三星已经出货512Mb DDR-II内存样品，在今年第四季度，三星将发布1.8v/667/533/400 DDR-II内存。

4/三星将在明年使用“G-die”芯片推出显示卡专用221/166MHz SDR显存

5/三星明年发布2.5v工作电压的800/400 GDDR SDRAM内存，明年下半年推出1400/666Mbps的GDDR-II SDRAM