据报道，三星今天一口气宣布了五款全新的SSD产品，除了我们刚刚介绍过的950 PRO，还有旗下首款第三代V-NAND的850 EVO。

其实，三星在8月份才宣布量产第三代V-NAND，准确地说是48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片，没想到这么快就拿出了成品。

首发的850 EVO有三种存储规格，1TB、500GB和256GB。

容量涨这么猛，秘密就在于单芯片上支持存储容量高达32GB（256Gb）。三星的实现方式很简单，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共存储256Gb数据。

虽然在48层的技术首发上晚于东芝，但三星率先拿出了最终产品，而东芝只是说准备好好量产了。

目前还不了解这款产品的具体参数，但三星表示这将是业内最快（在SSD快看腻了）、极省电的，本月就将在全球50多个国家发售，中国也有份。