没有任何的公开发布信息，Hynix Semiconductor（现代半导体）开始出货全缓冲双线内存模块（Fully-Buffered Dual in-line Memory Modules ，FB-DIMM）样品，主要为未来的高性能服务器做准备。虽然现代进行此项测试要比其他的竞争对手晚了半年，但是现代承诺其FB-DIMM产品将在2006年上半年正式出货。

现代没有公布任何的FB-DIMM芯片详细规格，包括，时钟频率、内存芯片密度，以及制造工艺等。然而公司暗示其FB-DIMM产品，“采用了JEDEC标准DDR2 SDRAM” 并且将在明年前半年量产的时候提供512MB、1GB和2GB版本。

FB-DIMM利用了典型的DDR2 SDRAM芯片，但是模块的设计却是全新的：在FB-DIMM内部，所有的时钟信号地址，命令以及数据，进出DRAM都是被缓冲的。DIMM上配备有高速Advanced Memory Buffer（AMB）芯片。在高速处理DRAM以及AMB之间的一系列短信号路径的时候，保证可靠的DRAM时差。

和DIMM之间一样，FB-DIMM同样在内存控制器和DIMM总线上采用点对点的串行连接。这种做法通过较短的连接提高了总线的速度，同样也改善了加载到总线上的最大DIMM数，达到了8个2-rank DIMM，涉及到了较小的信号衰减。

Elpida Memory、Micron Technology以及Samsung Electronics已经开始测试并出货各自的FB-DIMM产品样品数月了。