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三星14nm工艺显微观察:好神奇的3D晶体管!
2015-04-07 17:00:24  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

ChipWorks在对Galaxy S6的各个芯片元器件进行了鉴定之后,就将目光转向了微观世界,因为它使用的处理器Exynos 7420可是世界上第一个采用14nm FinFET工艺量产的。

所谓FinFET,是一种多闸极晶体管技术,将导电通道包裹在硅鳍片里面,简单地说就是在晶体管上使用3D立体堆叠技术(现在太多半导体技术都在这么做)。Intel 22nm工艺第一次实现了该技术的商业化量产,并且取了一个特殊的名字“三栅极晶体管”,其他厂商则都是用FinFET这个行业标准称呼,而且事实上,FinFET技术并不在乎有几个栅极,Intel的算是一个特例。

FinFET技术之争目前主要体现在台积电16nm、三星14nm两个阵营上,其中后者已经领先量产,还拉上了GlobalFoundries作为战略合作伙伴。

三星14nm工艺显微观察:好神奇的3D晶体管!

Exynos 7420内核侧面剖视图:可以清楚地看到用了11个金属层

三星14nm工艺显微观察:好神奇的3D晶体管!

晶体管近照:真的有FinFET!这个视图的方向平行于鳍片(fin)、垂直于栅极(gate),触点(contact)的底部基本就是鳍片的顶部边缘。可以看到,栅极被折叠起来并深入了鳍片内部,比触点更深。这就是FinFET技术的典型体现。

三星也因此成了第二个量产立体晶体管技术的厂商,并成功将其20nm工艺上的后栅极、高K、金属栅极技术给延续了过来。

更多深入分析请稍等……

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