ChipWorks在对Galaxy S6的各个芯片元器件进行了鉴定之后，就将目光转向了微观世界，因为它使用的处理器Exynos 7420可是世界上第一个采用14nm FinFET工艺量产的。

所谓FinFET，是一种多闸极晶体管技术，将导电通道包裹在硅鳍片里面，简单地说就是在晶体管上使用3D立体堆叠技术(现在太多半导体技术都在这么做)。Intel 22nm工艺第一次实现了该技术的商业化量产，并且取了一个特殊的名字“三栅极晶体管”，其他厂商则都是用FinFET这个行业标准称呼，而且事实上，FinFET技术并不在乎有几个栅极，Intel的算是一个特例。

FinFET技术之争目前主要体现在台积电16nm、三星14nm两个阵营上，其中后者已经领先量产，还拉上了GlobalFoundries作为战略合作伙伴。

Exynos 7420内核侧面剖视图：可以清楚地看到用了11个金属层。

晶体管近照：真的有FinFET！这个视图的方向平行于鳍片(fin)、垂直于栅极(gate)，触点(contact)的底部基本就是鳍片的顶部边缘。可以看到，栅极被折叠起来并深入了鳍片内部，比触点更深。这就是FinFET技术的典型体现。

三星也因此成了第二个量产立体晶体管技术的厂商，并成功将其20nm工艺上的后栅极、高K、金属栅极技术给延续了过来。

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