虽然东芝/闪迪、Intel/美光都宣布了很牛叉的第二代3D堆叠闪存技术，但在这个领域，三星电子无疑是走得最快的，其第二代3D V-NAND闪存早已用在了850 EVO、850 Pro两款产品上。

不过这二者都是2.5寸规格的，对于轻薄笔记本、迷你机来说有点大，所以三星再接再厉，推出了mSATA、M.2两种迷你规格的新版850 EVO。

上一代的840 EVO还只有mSATA，不过因为M.2规格更加灵活强大，尤其是支持高速的PCI-E通道，所以正在逐渐取代mSATA，未来一片光明。

除了身材迷你，mSATA/M.2 850 EVO的规格基本上和2.5寸差不多，也是三星MGX主控制器(除了1TB用的是较老型号MEX)、三星40nm 32层堆叠128Gb(16GB) TLC V-NAND闪存颗粒、TurboWrite缓存加速技术、DevSleep深度休眠技术(功耗仅仅2毫瓦/1TB 4毫瓦)、AES-256/TCG Opal 2.0/eDrive加密技术。

mSATA版容量有120GB、250GB、500GB、1TB，缓存前三者都是512MB，最后一个1GB。前两款支持每天写入41GB，终身75TB，后两者翻番到每天82GB、终身150TB。

性能方面，各容量惊人的一致：持续读写540MB/s、520MB/s，QD1 4KB随机读写10000 IOPS、40000 IOPS，QD32 4KB随机读写95000 IOPS、88000 IOPS。

功耗方面读取3.5W、写入4.3W。

M.2 2280版的容量只有120GB、250GB、500GB，缓存均为512MB，读写寿命同上。

之所以没1TB，是因为三星用了单面设计(更适合轻薄本)，只能放下两颗闪存。要说三星这16 Die封装技术已经很牛了，业内独一份。东芝也有，但良品率很低，导致成本高达1GB 1美元，是一般的三倍多。美光的则还停留在纸面上。

性能方面不同容量也都是一样的：持续读写540MB/s、500MB/s，QD1 4KB随机读写10000 IOPS、40000 IOPS，QD32 4KB随机读写97000 IOPS、89000 IOPS。

没错，它虽然是M.2接口，但走的还是SATA 6Gbps通道，所以性能基本也就顶天了，这无疑是最为遗憾的。至于会不会有PCI-E通道版本的，三星没说。

功耗方面读取2.4W、写入3.5W。

mSATA/M.2 850 EVO在全球53个国家和地区同时推出，价格方面以美国亚马逊为例，四种容量分别要80美元、130美元、228美元、450美元，相比于mSATA 840 EVO低容量的便宜一点，高容量的贵了一点。

对比其他产品，它们不是最便宜的，但很有竞争力，特别是完整保留了2.5寸版850 EVO的灵魂，还有五年质保。

AnandTech已经对mSATA 250GB/1TB、M.2 120/500GB进行了详细的性能测试，并对比了850 Pro 512GB、850 EVO 1TB。因为之前已经考察过2.5寸版850 EVO的性能，这次基本就是换了个形态，所以并没有太多惊喜，就不详细介绍了。这里摘取一部分图表给大家瞅瞅。