三星在14nm FinFET工艺上打了个漂亮的翻身仗，在TSMC的16nm FinFET工艺迟迟不能量产之时，三星去年底已经量产了14nm FinFET工艺，还获得了苹果、高通等公司的订单。不出意外的话，下月初发布的Galaxy S6手机将会配备14nm工艺的Exynos 7420处理器。三星不仅在14nm工艺上领先了，10nm FinFET工艺也不远了。

在本周的ISSCC会议上，三星半导体业务总裁金己男（Kim Ki-nam）在主题报告中展示三星正在开发的10nm工艺，这是全球首个针对移动芯片开发的10nm FinFET技术。不过他并没有提到10nm FinFET工艺的具体细节，预计该工艺会在2016年底到2017年期间问世，进度跟Intel的10nm 3D晶体管工艺差不多了。

此外，10nm工艺之后还会进入7nm及5nm节点，由于晶体管变得越来越薄，金己男表示7nm之后人们应该会使用新一代的晶体管结构，比如GAA FinFET（gate-all-around，全环栅）技术，这种晶体管会有2-4个等效栅极，它不仅可以使用硅基材料制作，还可以使用InGaAs铟镓砷材料制造。