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三星90nm 1Gbit DDR2出样
2005-06-25 02:19:00  出处：快科技 作者：P2MM 编辑：P2MM     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接
#快讯

韩国三星电子宣布旗下采用90nm的1Gbit DDR2内存开始出样。这种内存容量1GB，采用先进的90nm工艺生产。三星表示，借助先进的90nm工艺，1GB DDR内存的发热量已经大大减小。三星预期第四季度这种1GB DDR2内存每月的出货量是1百万颗。三星表示，如果届时市场对1GB DDR2内存需求量大增，将降低1GB和2GB DDR2内存的价格。

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