台湾电子时报报道，晶圆双雄制程竞赛跳向65奈米：

相较于联电执行长胡国强承认自己在0.13微米制程技术的进度落后，但公司90奈米以下先进制程可望明显赶上竞争对手的步调，甚至超前的说法，台积电（2330）27日也在美西举办2005年的第一场技术研讨会中，向超过400家IC设计公司介绍内部最先进的Nexsys 65奈米制程技术及服务，首批客户芯片也将于12月底产出。

胡国强指出，联电目前90奈米制程已有超过50个产品正式Tape out（试产），其中有超过三分之一的产品开始量产，包括RF及Digital技术的单芯片产品。此外，公司2004年90奈米制程共产出3.1万片8吋约当晶圆，预计2005年将再大幅成长，内部初估，第二季（Q2）90奈米制程的业绩贡献度即可拉上10％的水平。

展望未来，UMCi在拥有单月4万片12吋产能的竞争优势下，联电除90奈米制程已出现明显经济效益外，内部2005年也将加速推进60奈米及45奈米的量产进度。为加速先进制程的投资，公司2005年资本支出金额将在10亿～15亿美元。

　至于台积电在90奈米以下先进制程技术，也是屡有突破、公司27日表示，内部继90奈米制程后，最新推出的65奈米制程技术，其所能放入1个芯片中的逻辑闸（logic gates）数目，将较90奈米制程提高至2倍多，初估在1片12吋晶圆片上，可以放入超过7,500亿颗晶体管，这足以为客户提供相当具有竞争力的成本优势。

　此外，65奈米泛用型制程技术晶体管速度快上50％，及待机电力（Standby Power）耗电量也减少20％等优势，亦让台积电在65奈米高速制程技术上，大大领先其它晶圆代工业者。台积电甚至表示，继2004年4月成功使用65奈米制程技术产出静态随机存取内存（SRAM），并通过功能验证后，2005年将有包含Altera等多家客户，在下半年正式投产65奈米制程。