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3D TLC闪存咋样?三星850 EVO全球首测!
2014-12-08 14:30:32  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

【性能测试:PK 840 EVO】

测试平台配置如下:

3D TLC闪存咋样?三星850 EVO全球首测!

测试项目不是很多,但也足以看清850 EVO的表现了,尤其是和上代840 EVO对比有多大的进步呢?

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PCMark 8存储得分:基本没有任何不同,开启RAPID模式后增加了几十分,也只有1%。

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PCMark 8存储带宽:进步神速啊,提升了几乎有60%。RAPID模式也有点效果,能进一步提升4-7%。

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PCMark 8游戏载入速度:没任何变化,RAPID开关也无不同。

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CDM持续读写速度:读取没变,写入疯了,300MB/s左右蹿升超过了510MB/s,达到了十分理想的水平。

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CDM 512KB随机读写速度:读取反而还有所倒退,1000MB区块的写入倒是继续暴涨,提升了45%。

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CDM 4KB随机读写速度:读取、写入都小有进步。

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CDM 4KB 32队列深度随机读取速度: 读取提升了超过10%,1000MB区块的写入又一次暴涨,接近70%。

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Iometer随机读写:太凶了,翻了一番还多。

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HD Tune:两张图里看起来都是850 EVO,但是原文说第二张其实是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

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