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Infineon开发出第一款dual-die内存
2005-02-28 10:20:00  出处:快科技 作者:Duo 编辑:Duo     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

THG报道,并不是只有处理器才能从双核心中获得好处。Infineon日前宣称,其已经开发出了第一款dual-die DDR2 内存模块以加倍内存的总容量,而模块总高度的提升却只有0.1mm。

新的内存模块采用了18个2Gbit DDR2部件组成,而这些部件都是由2个1Gbit DDR2 SDRAM构成。该dual-die内存将使得Infineon目前内存的最大容量从2GB增至4GB。dual-die解决方法仅仅会使得内存模块的厚度增加0.1mm至4.1mm,其大大少于Joint Electronic Device Engineering Council(JEDEC)技术所需增加的40%。

根据Infineon发言人Karin Braeckle称,4GB内存目前已经推出了样品,并且有DDR2 400和DDR2 533两个版本。由于其容量关系,该产品将会主要面向需要大容量的服务器市场,它们现在将1130993容量从4GB扩展至16GB。而不久之后,Infineon还将会采用dual-die技术开发笔记本SO-DIMM产品,通过两个2Gbit DDR2 SDRAM叠加,最大容量将会增至8GB。

目前,4GB的内存售价为3900美元每根。在今年夏季将会进行量产。


Infineon开发出第一款dual-die内存

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