在经历了K3V2的失败之后，海思随后的Kirin 910和Kirin 920表现都还基本令人满意，前者再也不烫了，而后者则兼具了性能、续航，更是支持LTE Cat.6。

目前最新的消息显示海思已经把下一代处理器设计好了，其型号为Kirin 930，依然是big.LITTLE架构设计，采用16nm FinFET工艺。根据报道，台积电已在8月初试产第一批16nm晶圆，首批产品就是海思的Kirin 930，这应该是世界上首款16nm SOC芯片。

另外还有消息称台积电将于第四季度开始试产16nm FinFET Plus工艺，相比Kirin 930采用的16nm FinFET更加完善，首款产品为苹果的A9处理器。

台湾媒体推测，如果进度顺利的话，Kirin 930采用的16nm FinFET工艺会在第四季度量产，而A9采用的16nm FinFET Plus工艺则会在明年第一季度量产。