三星电子、GlobalFoundries今天联合宣布，双方已经达成新的战略合作，将共同为客户提供14nm FinFET制造工艺，合作之深度在半导体代工历史上还是第一次。

双方本来就是IBM主导的通用平台联盟的主力成员，通过此番合作更是几乎成了一家人。

这种新的14nm FinFET工艺由三星研发，完全授权给GlobalFoundries，将在三星韩国华城(Hwaseong)、美国德州奥斯汀，GlobalFoundries美国纽约州萨拉托加等三处工厂内同步投入批量生产，彼此共享。

这种合作形式的最大意义在于，半导体企业如果要使用14nm FinFET工艺，只需要一套设计、验证流程即可在三星、GlobalFoundries的不同工厂内随时投产，而无需像现在那样需要重新设计、流片，大大缩短研发生产周期、降低成本。

AMD就已经准备使用这套新工艺，但具体产品不详，应该主要是未来的APU。

对于三星而言，这可以对外输出自己的新工艺，扩大影响力。GlobalFoundries则是直接掏钱买新技术，不用再自己费力研发。

三星的14nm FinFET工艺基于20nm工艺平台而来，除了继续缩小栅极间距之外，晶体管首次从平面型转向三维立体型，并且是全耗尽式的(fully depleted)，还沿用了20nm上的可靠互连机制，号称最多可带来20％的性能提升、35％的功耗降低、15％的面积缩小。

目前，三星、GlobalFoundries已经开始提供基于新工艺的授权、设计套件，计划今年年底投入量产。