据报道，美光科技(Micron Technology)于日前正式推出其首批采用90纳米工艺的2GB NAND闪存。该公司自称为业内首先推出此类产品的制造商。此种闪存是针对闪存卡、USB装置、大容量存储装置、移动装置而推出的，并且大多数NAND控制器与现有的采用这些控制器的2Gb NAND器件兼容。除此之外，美光还将推出DRAM、CMOS图像传感器(CMOS image Sensor)。

美光公司现已量产2Gb NAND闪存，并预期2005年将增加产量。该公司同时还提供软件参考代码和仿真模型，以协助产品设计。

据介绍，今年全球NAND闪存市场的投入资金为70亿美元，而到明年则会增至87亿美元。随着生产工艺逐渐从90纳米向72纳米和58纳米过渡，美光公司的发展蓝图也将继续从构造、密度、封装等方面改进下一代闪存产品。