德国 Infineon Technologies（英飞凌）宣布推出世界最小的20nm Flash芯片。英飞凌这种20nm尺寸的Flash芯片，采用3 次元构造，克服漏电流等制约芯体积的问题。20nm Flash芯片投产，可以实现 32 Gbit 的闪存芯片。英飞凌这种产品采用Fin Field Effect Transistor ，厚度 8 nm 的散热片由宽度 20 nm 的门级电路所控制。FinFET ，以前的flash芯片记录1bit 数据大约需要1,000 个电子，英飞凌今天推出的这种产品，记录1 bit数据只需要100 个电子。