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技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
2014-02-10 09:55:37  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
OPIO接口

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
处理器与缓存之间的OPIO

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
OPIO走线布局

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
OPIO PHY物理层

第三个方面是关于功耗优化的。

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内存界面使用了新的堆栈式电源栅极,漏电率只有上一代的百分之一。 

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

Haswell首次做到的FIVR(完全整合电压控制器)效率相当高,负载时可达90%,而且非常稳定。

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

切换速度也是极快,进入/恢复睡眠只需0.32微秒,进入睿频加速更是不过0.1微秒。

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Haswell支持多种电源状态。这里以TDP 15W的超低功耗版为例,除了传统的C0、C6、C7之外,还支持三种更深度的状态:C8,关闭显示、IO部分,Vin输入电压1.2V,功耗77毫瓦;C9,Vin电压降为零,功耗18毫瓦;C10,电压控制器优化,功耗18毫瓦。

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