三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存，并宣布了基于它的首款固态硬盘，而在日前的闪存峰会上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。

还是首先看看三星的吧。

现在已经能够做到24层堆叠，单颗容量128Gb(16GB)，并计划2017年左右做到单颗1Tb(128GB)。

全球首款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘，乍一看和普通产品没啥区别。

3D闪存达到同等容量固态硬盘所需的颗粒更少，而且性能更好(持续写入快22％/随机写入快20％)、功耗更低(平均功耗低27％/峰值功耗低45％)。

SK海力士在现场摆放了一块300毫米的闪存晶圆，正是使用3D堆叠技术制造的，单颗芯片容量和三星一样也是128Gb(16GB)，属于MLC NAND类型。

海力士预计2014年第一季度将其投入商用。

海力士的3D闪存晶圆

2D、3D NAND闪存结构对比

SanDisk则是与东芝一起开发3D NAND，还起了个自己的名字“BiCS”，不过得到2015年下半年才会投入试产，看起来起步比较晚。

SanDisk表示，届时会使用1z nm工艺。

——闪存行业一般不明确标识具体的制造工艺(至少初期)都很模糊，而是使用1x、1y、1z nm等标识方法，越往后越先进，比如1x目前基本代表19nm，1y应该在15nm左右，1z则会非常接近10nm。

SanDisk NAND闪存工艺、技术路线图：2013年底到2014年初投产1y nm，2014年底到2015年初投产1z nm，2015年下半年才有3D闪存

3D比较落后，SanDisk就把介绍重点放在了2D闪存上

3D闪存上，SanDisk要落后整整一个时代

一直在闪存行业处于领先地位的美光怎么能少了呢？但是对于3D闪存此番介绍得同样很模糊，只说会在合适的时候介绍给大家。

根据规划，美光即将量产16nm闪存工艺，接下来就会推出3D闪存，容量达256Gb(32GB)，而且还是和Intel合作的。