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三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND
2013-08-06 13:45:47  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
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三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌,今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头,3D堆叠已经成了潮流,处理器、内存什么的都要堆起来。

三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB),内部采用三星独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。

三星称,这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb(128GB)级别的闪存芯片指日可待。

三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND

早在2006年,三星就研发了CTF技术。在这种结构的NAND闪存中,电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上,而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在,三星又成功把这种结构推向了三维层面。

此外,三星自己研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起,并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔,实现各个层的电子互连。

三星还骄傲地披露,经过十多年的研发,他们已经在3D存储技术上拥有300多项专利

三星的V-NAND闪存广泛适用于消费电子和企业级应用,包括嵌入式NAND存储、固态硬盘。

三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND

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