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Samsung 2GB内存颗粒抢先看
我们曾在以前的新闻中报道过韩国三星电子成功使用80纳米工艺技术,制造出全球第一颗拥有高达2GB容量的DDR 2内存颗粒。
昨日HKEPC网站上刊登出了这种内存颗粒的实物图,让我们先睹为快。

这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展,包括3D晶体管技术,凹槽数组晶体管(RCAT),和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术,它通过使用一种3D结构设计,来减少晶体管所占的体积。
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