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14款240/256GB固态硬盘年度终极对决
2012-12-20 10:05:01   编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

附录小知识:SSD闪存颗粒

SSD的性能不是单纯靠主控决定,使用不同的闪存颗粒也会影响实际性能。很多山寨SSD为了降低成本使用低速的闪存颗粒,造成SSD性能低下,实际使用并不比传统机械硬盘快。甚至还由于生产做工差,容易造成SSD不稳定、用户数据丢失等问题。

14款固态硬盘年度终极对决
SSD架构示意图

接下来小编就为你一些闪存颗粒和缓存的常识。主控芯片旁边是缓存芯片,SSD和传统硬盘一样需要高速的缓存芯片辅助主控芯片进行数据处理。这里需要注意的是,目前有一些廉价SSD方案为了节省成本,省去了这块缓存芯片,这样对于使用时的性能会有一定的影响。而固态硬盘的闪存颗粒主要有SLC和MLC,目前运用最广泛的为MLC。

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▲SSD内部结构图

SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以其速度表现更好,目前很多高端SSD都是都采用该类型的Flash闪存芯片。

MLC全称是多层式储存(Multi Leveled Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在SSD中应用最为广泛的MLC NAND闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。

SSD所使用的NAND颗粒是有写入寿命的,主流的SSD均使用价格较为便宜的MLC架构颗粒,擦写寿命大概为3000-10000次,而高端的SLC则有10万次的擦写寿命。不过用户大可不必担心,因为SSD在设计时就会用到平衡计算的技术,称为wear-leveling(平均损耗技术)。该技术会平衡计算写入次数,那也就不会出现容量越用越小的情形,因为使用了平均损耗算法的NAND颗粒几乎不会出现单一NAND颗粒被写爆的情况。

影响SSD性能除了闪存颗粒的不同,还分有厂家同步异步。Intel同步、美光同步就比Intel异步、美光异步要好,还有些SSD会采用三星异步和东芝同步颗粒。使用异步、同步也会对SSD的性能有所影响。下面简单介绍下如何区分同步、异步颗粒。

同步和异步闪存颗粒都是同一家生产线上下来的,颗粒的品质优劣才有了同步和异步的区分。简单来说,异步颗粒是在原厂检测中,无法通过所有最严格的测试,在性能降低后,只能跑异步模式,不能再跑同步模式,而其他方面的质量测试都能通过,原厂依然判定其为合格产品,这就是异步颗粒。

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▲Intel同步颗粒

同步:英特尔生产的后三位是ME1(11年后生产的)、ME2/ME3的MLC颗粒、美光生产的后五位是CBAAB的MLC颗粒(支持同步和异步)。

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▲美光异步颗粒

异步:英特尔生产的后三位是ME1(10年生产的)的MLC颗粒、美光生产的后五位是CBAAA的MLC颗粒。

附录小知识:什么是缓存?

“缓存”,单纯的从字面上来理解就是延缓存放。简单的说,“缓存”是为了平衡高速设备和低速设备之间的速度差异而存在的。它的作用是让低速设备尽量的不拖高速设备的后退,在SSD中运用缓存芯片也只能做到“尽量”减少这种现象,而不能达到100%的准确运算。SSD上的缓存一般都是1或者2颗DRAM颗粒构成,起到数据交换缓冲作用。像OCZ最新的VTX4则在PCB面板两面各焊接一颗256MB的缓存颗粒,三星830系列拥有自家生产的单颗256MB DDR2 SDRAM缓存颗粒。

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▲三星830缓存芯片

一个SSD是否有缓存这样的设计,往往是厂家根据产品定位和用途做决定的,一般一些入门级或者低速SSD,在设计上就不一定考虑缓存方案,而一些高速SSD,由于数据交换量大,就会考虑设计缓存,用于提高产品的读写能力。通常带有缓存的SSD在价格上或比不带缓存的略高一些,虽然SSD带缓存读取小文件的速度会快些,但对SSD来说,快的太有限了。单纯的从反应速度来说,SSD的反应速度一般都在0.2毫秒以内,不比缓存慢。所以带缓存对读取速度的提升,几乎可以忽略。

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▲OCZ VTX4缓存芯片

总的来说,影响SSD的性能的主要还是主控芯片和闪存颗粒,不同的闪存颗粒,读写次数也不一样,读写次数也直接影响SSD的寿命。面对SSD速度大幅度提升,已经能够实时的处理数据,缓存在提升SSD速度方面影响并不太大,所以依据缓存大小来判断SSD的速度是不科学的。

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